Transistor AU 210 Semiconduttore
TType Transistor Germanium PNP
Case TO3
Manufacturer ATES
Vbr CBO 140
Vbr CEO 140
Max. PD (W) 5.0
Max. hFE 80
Min hFE 15
Ic Max. (A) 10
@Ic (test) (A) 6.0
Icbo Max. @Vcb Max. (A) 300u
Polarity PNP
Derate Above 25°C 666m
Trans. Freq (Hz) Min. 2.0M
Oper. Temp (°C) Max. 100
@VCE (V) 1.3
Pinout Equivalence Number 3-14
Surface Mounted Yes/No NO
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 5 W
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 140 V
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 2 V
Maximum Collector Current |Ic max| 10 A
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 85 °C
Transition Frequency (ft): 1 MHz
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 15
Transistor AU 210 PNP al Germanio
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